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樹(shù)脂鏡片鍍膜前等離子清洗作用 在樹(shù)脂鏡片鍍膜前對(duì)基底表面采用等離子清洗能夠去除基底表面的污染層,活化基底表面分子并造成原子量級(jí)的凹凸不平,從而增加薄膜的附著力，改善成膜質(zhì)量。

Nov. 08, 2024

硅橡膠等離子體處理對(duì)其親水粘接性能的影響 硅橡膠它的分子結(jié)構(gòu)極性很低,材料的表面活性也很低,與很多的材料在不經(jīng)任何處理的情況下,都很難做到粘結(jié)，通過(guò)等離子體處理可以使使硅橡膠表面引入極性硅醇(Si-OH)基團(tuán)提高親水性，從而改善硅橡膠表面的粘接性。

Nov. 06, 2024

二氧化硅反應(yīng)離子刻蝕原理 反應(yīng)離子刻蝕SiO2的反應(yīng)氣體主要為含氟基或氯基氣體;前者如CF4、CHF3、SF6、NF3等,后者如BCl3、Cl2等。反應(yīng)離子刻蝕SiO2時(shí),在輝光放電中分解出的氟原子或氯原子,與SiO2表面原子反應(yīng)生成氣態(tài)產(chǎn)物,達(dá)到刻蝕的目的。

Nov. 06, 2024

硅（si）的rie反應(yīng)離子刻蝕原理 反應(yīng)離子刻蝕硅通常使用帶氟或者帶氯的活性基團(tuán)的氣體,如SF6、CHF3、CF4等，刻蝕氣體在高頻電場(chǎng)的作用下,使氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體,對(duì)被刻蝕物進(jìn)行離子轟擊和化學(xué)反應(yīng)，生成SiF4的揮發(fā)性氣體,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅的反應(yīng)離子刻蝕。

Nov. 05, 2024

二氧化硅（sio2）等離子體刻蝕原理 二氧化硅等離子刻蝕一般采用CF4、SF6等含氟氣體和氧氣作為刻蝕反應(yīng)氣體,通過(guò)等離子體源電離產(chǎn)生自由基等離子體,可以破壞硅基材料的化學(xué)鍵,從而發(fā)生了反應(yīng)并且與之結(jié)合產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)SiF4，達(dá)到刻蝕目的。

Nov. 01, 2024

氧等離子處理改善石墨烯氣凝膠的親水性 氧等離子體處理過(guò)程中，高能氧離子與石墨烯氣凝膠表面發(fā)生反應(yīng)，引入大量的含氧官能團(tuán)，如羥基（-OH）、羧基（-COOH）和羰基（-C=O）等。這些官能團(tuán)增加了材料表面的極性，從而提高了親水性。

Oct. 30, 2024