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硅（si）的rie反應離子刻蝕原理 反應離子刻蝕硅通常使用帶氟或者帶氯的活性基團的氣體,如SF6、CHF3、CF4等，刻蝕氣體在高頻電場的作用下,使氣體輝光放電產生等離子體,對被刻蝕物進行離子轟擊和化學反應，生成SiF4的揮發(fā)性氣體,從而實現(xiàn)對硅的反應離子刻蝕。

Nov. 05, 2024

二氧化硅（sio2）等離子體刻蝕原理 二氧化硅等離子刻蝕一般采用CF4、SF6等含氟氣體和氧氣作為刻蝕反應氣體,通過等離子體源電離產生自由基等離子體,可以破壞硅基材料的化學鍵,從而發(fā)生了反應并且與之結合產生揮發(fā)性物質SiF4，達到刻蝕目的。

Nov. 01, 2024

氧等離子處理改善石墨烯氣凝膠的親水性 氧等離子體處理過程中，高能氧離子與石墨烯氣凝膠表面發(fā)生反應，引入大量的含氧官能團，如羥基（-OH）、羧基（-COOH）和羰基（-C=O）等。這些官能團增加了材料表面的極性，從而提高了親水性。

Oct. 30, 2024

氫等離子體清洗BGA基板氧化物 利用氫氣等離子清洗的方式能有效地去除BGA基板表面的氧化物。該方法工藝簡單,效果顯著,效率也很高,是清除BGA元器件和其他表面貼裝元器件氧化物的最佳方法。

Oct. 26, 2024

碳纖布O2等離子體氧化增強親水性 O2-等離子體處理作為一種快速、便捷、環(huán)境友好的氧化碳纖布的處理方法,引起了人們越來越多的研究興趣。O2-等離子體可以顯著改善纖維表面的浸潤性,增強界面的結合性能,同時而不改變纖維本身的物理化學性質。

Oct. 25, 2024

等離子體氟化改性技術原理 等離子體氟化處理是一種表面處理技術,通常用于改變材料的表面性質和性能,該處理過程利用等離子體中的活性氟物種與材料表面相互作用,實現(xiàn)對材料表面氟化,改善材料表面化學成分、形貌、電學性能等,從而改善材料表面性能

Oct. 18, 2024